买卖IC网 >> 产品目录 >> 2N3583 两极晶体管 - BJT NPN High Power datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

2N3583

库存数量：165
制造商：Central Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT NPN High Power
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT NPN High Power
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制造商 Central Semiconductor
配置
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO 250 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 175 V
发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
集电极—射极饱和电压 175 V
最大直流电集电极电流 1 A
增益带宽产品fT 10 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 40
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Stud
封装 / 箱体 TO-66
相关资料
属性
链接
代理商 2N3583
2N3583LEADFREE
2N3584
2N3585
2N3595
2N3600
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深圳市德江源电子有限公司 82966416 张先生
  • 2N3583 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 15.166 15.166
    25 13.8 345
    100 12.448 1244.8
    250 11.454 2863.5